金融界2025年8月8日消息，国家知识产权局信息显示，无锡旷通半导体有限公司取得一项名为“多层外延的超结MOSEFT器件”的专利，授权公告号CN223207452U，申请日期为2024年10月。专利摘要显示，本实用新型涉及一种多层外延的超结MOSEFT器件，其包括第一导电类型衬底，第一导电类型外延层