金融界 2025 年 4 月 2 日消息，国家知识产权局信息显示，龙腾半导体股份有限公司申请一项名为“一种具有双场阻止层的 RC-IGBT 结构及其制造方法”的专利，公开号 CN 119743997 A，申请日期为 2024 年 12 月。专利摘要显示，本发明提出了一种具有双场阻止层的 RC‑IGB

来源：新浪基金∞工作室华夏半导体龙头混合型发起式证券投资基金（简称：华夏半导体龙头混合发起式A，代码016500）公布4月7日最新净值，下跌6.49%。华夏半导体龙头混合发起式A成立于2022年9月19日，业绩比较基准为中证全指半导体产品与设备指数收益率×60%+中证港股通综合指数收益率×20%+中

近日，工信部公示首批重点培育中试平台初步名单。人福医药创新药中试平台、鼎康生物重组蛋白药物中试平台、华中数控全国产化芯片和操作系统高档数控系统中试平台、九峰山实验室化合物半导体中试平台、华星光电柔性及印刷OLED 显示中试平台、国创中心数字化设计与制造中试平台等6家光谷中试平台入选，涵盖药品、工业母

金融界2025年8月8日消息，国家知识产权局信息显示，无锡旷通半导体有限公司取得一项名为“多层外延的超结MOSEFT器件”的专利，授权公告号CN223207452U，申请日期为2024年10月。专利摘要显示，本实用新型涉及一种多层外延的超结MOSEFT器件，其包括第一导电类型衬底，第一导电类型外延层

美国总统特朗普日前宣布将对进口到美国的半导体芯片“征收100%关税”，但不包含有在美国设厂的企业。同时，特朗普也透露，因台积电在美国的投资计划，有望从半导体关税中豁免。虽然确切的细节并未出炉，但这些消息刺激台积电股价连续两天创下历史新高。然而，美国财经媒体旗下经济学家预估，半导体关税将对岛内经济造成