文章

龙腾半导体申请具有双场阻止层的 RC-IGBT 结构及其制造方法专利,可提升功率芯片性能和可靠性

金融界 2025 年 4 月 2 日消息,国家知识产权局信息显示,龙腾半导体股份有限公司申请一项名为“一种具有双场阻止层的 RC-IGBT 结构及其制造方法”的专利,公开号 CN 119743997 A,申请日期为 2024 年 12 月。专利摘要显示,本发明提出了一种具有双场阻止层的 RC‑IGB

2025-04-02 18:23:00

华夏半导体龙头混合发起式A净值下跌6.49%

来源:新浪基金∞工作室华夏半导体龙头混合型发起式证券投资基金(简称:华夏半导体龙头混合发起式A,代码016500)公布4月7日最新净值,下跌6.49%。华夏半导体龙头混合发起式A成立于2022年9月19日,业绩比较基准为中证全指半导体产品与设备指数收益率×60%+中证港股通综合指数收益率×20%+中

2025-04-08 06:20:00

光谷6家中试平台入选国家重点培育名单

近日,工信部公示首批重点培育中试平台初步名单。人福医药创新药中试平台、鼎康生物重组蛋白药物中试平台、华中数控全国产化芯片和操作系统高档数控系统中试平台、九峰山实验室化合物半导体中试平台、华星光电柔性及印刷OLED 显示中试平台、国创中心数字化设计与制造中试平台等6家光谷中试平台入选,涵盖药品、工业母

2025-05-26 15:20:00