0次浏览 发布时间：2025-04-02 18:23:00
金融界 2025 年 4 月 2 日消息，国家知识产权局信息显示，龙腾半导体股份有限公司申请一项名为“一种具有双场阻止层的 RC-IGBT 结构及其制造方法”的专利，公开号 CN 119743997 A，申请日期为 2024 年 12 月。
专利摘要显示，本发明提出了一种具有双场阻止层的 RC‑IGBT 结构及其制造方法，旨在解决传统 RC‑IGBT 导通时存在的电压折回现象及器件耐压降低的问题。该结构在集电极侧具有 p 浮置区的基础上，引入了两层场阻止层，即 nFS1 层和 nFS2 层。nFS1 层可压缩电场，防止电场扩展至 n+短路区，保障器件耐压；nFS2 层则通过调节掺杂浓度调控背面空穴注入率。此外，采用局部氧化物进行隔离，降低了工艺难度。本发明的 RC‑IGBT 结构不仅可在更小的元胞尺寸下抑制电压折回现象还显著提升了功率芯片性能和可靠性，具有更高的耐压能力和更好的动态特性，对推动电力电子技术的发展和应用具有重要意义。
天眼查资料显示，龙腾半导体股份有限公司，成立于2009年，位于西安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12926.1111万人民币，实缴资本12901.2876万人民币。通过天眼查大数据分析，龙腾半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息147条，此外企业还拥有行政许可6个。
本文源自金融界
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